JEM 2010F

El microscopi TEM JEM 2010F està equipat amb un canó d’electrons d’emissió de camp, fet que proporciona una major intensitat i una resolució superior tant en mode de feix paral·lel (HRTEM) com en mode d’escaneig (STEM).
El microscopi disposa també d’un filtre d’energia per a l’anàlisi de pèrdua d’energia dels electrons (espectroscòpia EELS). A més de l’estudi de la composició química, aquesta tècnica permet obtenir estats de valència i coordinació mitjançant l’anàlisi de l’estructura fina dels vores, així com accedir a propietats optoelectròniques dels materials mitjançant l’estudi de la zona de baixes pèrdues dels espectres.

Característiques de l’equip

• Voltatge d’acceleració: 200 kV
• Canó d’electrons d’emissió de camp (FEG)
• Càmera CCD Gatan ORIUS SC200
• Unitat STEM amb detectors de camp clar (BF) i camp fosc d’alt angle (HAADF)
• Filtre d’energia per a l’anàlisi de pèrdua d’energia dels electrons (GIF)
• Sistema de precessió del feix d’electrons (DIGISTAR)
• Sistema per al mapatge de fases i orientacions cristal·lines (ASTAR)
• Sistema per al mapatge de tensions cristal·lines (TOPSPIN)
• Portamostres JEOL per a tomografia (±70°)
• Portamostres Nanofactory TEM‑STM per a mesures elèctriques in situ

Aplicacions de la tecnologia

• Obtenció d’imatges HRTEM de materials cristal·lins (nanopartícules, nanofils, pel·lícules fines, etc.)
• Mapatge químic mitjançant STEM‑EELS
• Crystal orientation and phase mapping (ASTAR)
• Strain mapping (TOPSPIN)

Ubicació

El microscopi TEM JEM 2010F es gestiona des de la Unitat de Microscòpia Electrònica i Tècniques Afins i està ubicat al Campus Diagonal, a l’edifici principal dels CCiTUB.